SRAM工作原理SRAM的工作原理：假设准备往图2的6T存储单元写入“1”，先将某一组地址值输入到行、列译码器中，选中特定的单元，然后使写使能信号WE有效，将要写入的数据“1”通过写入电路变成“1”和“0”后分别加到选中单元的两条位线BL,BLB上，此时选中单元的WL=1，晶体管N0,N5打开，把BL,BLB上的信号分别送到Q,QB点，从而使Q=1，QB=0，这样数据“1”就被锁存在晶体管P2,P3,N3,N4构成的锁存器中
写入数据“0”的过程类似
SRAM的读过程以读“1”为例，通过译码器选中某列位线对BL,BLB进行预充电到电源电压VDD，预充电结束后，再通过行译码器选中某行，则某一存储单元被选中，由于其中存放的是“1”，则WL=1、Q=1、QB=0
晶体管N4、N5导通，有电流经N4、N5到地，从而使BLB电位下降，BL、BLB间电位产生电压差，当电压差达到一定值后打开灵敏度放大器，对电压进行放大，再送到输出电路，读出数据
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