内存刷新发展变化近年来，由于 CPU 的速度越来越快，使得 DRAM 越来越跟不上 CPU 的速度，使二者的匹配关系失去平衡

这使 CPU 大材小用，不得不停下来，插入几个等待周期来配合慢速的内存刷新速度

因此产生了 AT 时代主板上的交叉（ Interleave ）刷新内存方法，这种设计要求至少有两个 BANK

当一个 BANK 与 CPU 交换数据时，另一个 BANK 借机进行数据刷新

偷闲的刷新工作，使 CPU 总在工作

也许您应该知道电脑主板上的内存条为什么要分为 BANK 了，显然只让一个 BANK 插慢内存条势必使该方法失效；另外一种方法是 DRAM Page Mode ，也即动态 DRAM 页面模式

其原理是：在 CPU 对 DRAM 进行读写的一个周期中，只能对一个地址进行存取

可是如果把列地址固定，只连续改变内存的行地址，就可以得到一块连续的内存（可以称为一页），从而使 CPU 可以存取范围更大（页面）的数据，加快了数据存取过程

从单一地址到多个地址，从线性到页面的方法大大提高了 CPU 的效率，而且再也不依赖 BANK 的物理条件了

单单靠改进存取设计方法是不够的

使用新的内存材质，改进数据读写周期的触发电路，更高级的调整 CMOS 中关于 DRAM 的刷新周期进行优化设计等都可以提高 CPU 的效率，可喜的是动态的 DRAM 速度正在提高 PC133 标准正在流行， PC155 也指日可待

以上内容由大学时代综合整理自互联网，实际情况请以官方资料为准。