邹世昌科研成就科研综述邹世昌于20世纪60年代负责国防重点任务甲种分离膜加工成形部分工作，对技术路线进行优选决策

20世纪70年代以后在离子束与固体相互作用以及离子束材料改性、合成、加工和分析等方面进行了系统的研究工作

独创用二氧化碳激光背面辐照获得了离子注入损伤的增强退火效应

用全离子注入技术研制成中国第一块120门砷化镓门阵列电路，用反应离子束加工成中国第一批闪光全息光栅

研究SOI材料并制成CMOS／SOI电路

发展了离子束增强沉积技术并合成了氮化硅、氮化钛薄膜 

学术论著根据2021年11月中国科学院上海微系统与信息技术研究所网站显示，邹世昌先后发表文章200多篇 

学术交流1988至1999期间，邹世昌和柳襄怀发起并组织了六届中日及六届中韩双边离子束研究学术讨论会，长期担任两个双边学术会议的中方主席和会议主席 

科研项目项目时间项目名称备注2009年1月—2012年12月0.13微米SOI/CMOS工艺平台参与，国家级2014年10月—2018年12月130nm KFZ SOI CMOS工艺平台主持，国家级 科研成果奖励根据2021年11月中国科学院上海微系统与信息技术研究所网站显示，邹世昌先后获得国家发明一等奖和中国科学院自然科学、科技进步等14项奖励 

获奖时间项目名称奖励名称1978年离子注入技术全国科学大会奖1982年中国科学院重大科技成果奖二等奖1984年甲种分离膜的制造技术国家发明奖一等奖 1987年中国科学院科学技术进步奖二等奖1989年国家科学技术进步奖三等奖1990年国家自然科学奖二等奖1990年中国科学院科学技术进步奖一等奖1990年中国科学院自然科学奖二等奖1997年离子束增强沉积及其应用中国科学院发明奖二等奖（排名第七） 

以上内容由大学时代综合整理自互联网，实际情况请以官方资料为准。