郑有炓科研成就科研综述郑有炓在锗硅、Ⅲ族氮化物异质结构研究中，发展了生长锗硅、Ⅲ族氮化物异质结构材料的光辐射加热方法和新技术

基于锗硅、Ⅲ族氮化物极化能带工程，发展了多种新器件

提出并实现了铁电体/氮化镓、铁磁体/半导体异质结构新体系

发现锗硅合金应变诱导有序化新结构，提出新模型

揭示Ⅲ族氮化物异质结构极化、二维电子气及其相关性质

观测到碲化镉/锑化铟异质结构二维电子气及占据子带规律，开拓II-VI/III-V族异质体系二维电子气研究领域

提出基于锗硅技术实现二氧化硅/硅界面量子限制硅纳米结构

 郑有炓领导创建了南京大学半导体超晶格实验室

 学术论著截至2019年7月，郑有炓与研究组已发表论文400余篇，已被SCI收录332篇，EI收录428篇，被SCI论文引用1683篇（其中他引1409 篇） ，其代表论著有《第三代半半导体材料》《太阳电池发展现状及性能提升研究》等

 学术交流时间学术活动名称举办地2004年9月第十二届“小颗粒与无机团簇系列国际会议” 2011年4月新材料产业发展与展望研讨会 福州2020年11月第十六届中国高校电子信息学院院长（系主任）年会 绍兴发明专利截至2019年7月，郑有炓已获得国家发明专利31项

 时间专利名称专利号2001年7月25日锗/硅复合纳米晶粒浮栅结构MOSFET存储器 CN1305232A2002年8月14日一种控制氮化镓(GaN)极性的方法 CN1363730A2005年3月23日利用氢化物汽相外延方法在硅衬底上生长GaN薄膜 CN1599032A2008年9月24日生长非极性面GaN薄膜材料的方法及其用途 CN101270471A2009年5月13日一种改善蓝宝石衬底上GaN厚膜完整性的方法 CN101431017A承担项目时间项目名称项目类别1991年—1992年新型GeSi红外探测器研究 江苏省科委项目1991年—1995年GeSi材料与器件研究开发 江苏省科委项目1991年—1995年GeSi超晶格材料与应用 国家八六三计划项目1991年—1995年GeSi超晶格材料生长、物性和器件开发 国家重大基础研究项目1992年—1994年GeSi红外探测器 国防科工委项目1992年—1994年GeSi基区异质结晶体管研究 国家自然科学基金项目1993年—1995年应变层结构GeSi/Si的稳定性及其改善对策研究 国家高技术863计划项目1993年—1995年GeSi/Si异质结构材料生长研究 国家高技术863计划项目1993年—1995年GeSi/Si超晶格材料表征研究 国家教委博士点基金项目1993年—1995年GeSi/Si超晶格选择外延研究 南京大学基金项目1993年—1995年新型GeSi材料与器件研究开发 江苏省科委项目科研奖励截至2022年2月，郑有炓已获得国家自然科学奖二等奖1项、国家技术发明奖三等奖1项、江苏省科技进步奖一等奖1项、教育部自然科学一等奖和技术发明一等奖各1项；还先后获得省部级科技进步奖8项以及国防科工委光华科技基金奖一等奖等奖项

 时间获奖项目奖励名称1988年InP-MIS界面与InP-MIS晶体管研究江苏省科技进步三等奖 1989年聚合物半导体薄膜及其应用的基础研究江苏省科技进步三等奖 1990年半导体变频C-V/G-V方法和VFC-1型微机变频C-V测试系统江苏省科技进步三等奖 1992年国防科工委光华科技基金一等奖 2004年新型半导体异质结构和器件物理研究国家自然科学奖二等奖 2016年先进日盲紫外探测与应用技术国家技术发明奖二等奖 

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