江风益科研成就科研综述江风益在硅基氮化镓半导体发光方向取得了开拓性、系统性、创造性学术成就，带领团队取得重大技术突破：硅基黄光LED光功率效率提高到26.7%，远高于中国之外的公开研究记录的最高水平（9.63%）；将高光效黄光和红光LED组合起来，实现了暖色调、无荧光粉、快响应、高光效、长寿命、纯LED光源，率先在路灯、台灯等市场应用；研制出单面出光、光效达56.7%的硅基绿光LED芯片，成功应用于专用飞机显示装备上，解决了抬头显示器功耗大、热量高的难题 

授权专利截至2019年10月，江风益先后授权中国国内外发明专利90余项 

学术论文截至2019年10月，江风益先后发表SCI论文90余篇 

代表论文如下：1，彭绍琴,江风益,李越湘.N掺杂TiO_2光催化剂的制备及其可见光降解甲醛[J].功能材料,2005(08):71-73.2，江风益,刘军林,王立,熊传兵,方文卿,莫春兰,汤英文,王光绪,徐龙权,丁杰,王小兰,全知觉,张建立,张萌,潘拴,郑畅达.硅衬底高光效GaN基蓝色发光二极管[J].中国科学:物理学 力学 天文学,2015,45(06):19-36.3，莫春兰,方文卿,王立,刘和初,周毛兴,江风益.硅衬底GaN基LED的研究进展[J].液晶与显示,2005(05):66-73.4，温战华,王立,方文卿,蒲勇,罗小平,郑畅达,戴江南,江风益.退火温度对ZnO薄膜结构和发光性能的影响[J].半导体学报,2005(03):498-501.5，刘卫华,李有群,方文卿,莫春兰,周毛兴,刘和初,熊传兵,江风益.Si衬底GaN基LED的结温特性[J].发光学报,2006(02):211-214.6，周印华,汤英文,饶建平,江风益.光增强湿法刻蚀提高Si衬底垂直结构GaN基LED的出光效率[J].光学学报,2009,29(01):252-255.7，熊志华,饶建平,江风益.CdS掺Mg和Ni电子结构和光学性质的密度泛函理论研究[J].光学学报,2007(12):2225-2228.8，万齐欣,熊志华,饶建平,戴江南,乐淑萍,王古平,江风益.Ag掺杂ZnO的第一性原理计算[J].半导体学报,2007(05):696-700.9，封飞飞,刘军林,邱冲,王光绪,江风益.硅衬底GaN基LEDN极性n型欧姆接触研究[J].物理学报,2010,59(08):5706-5709.10，苏丽伟,游达,程海英,江风益.Si衬底功率型GaN基绿光LED性能[J].光学学报,2009,29(04):1066-1069. 科研项目截至2019年10月，江风益先后主持国家863计划、电子发展基金及江西省科技课题项目30余项 

科研奖励时间研究项目所获奖励及等级获奖人员授予单位2015年度硅衬底高光效GaN基蓝色发光二极管国家技术发明奖一等奖江风益，刘军林，王立，孙钱，熊传兵，王敏 中华人民共和国国务院  

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