黄如科研成就科研综述黄如提出并研制出面向低功耗高可靠电路应用的准SOI新结构器件和面向超低功耗电路应用的肖特基-隧穿混合控制新机理器件

发展了适于十纳米以下集成电路的围栅纳米线器件理论及技术，系统揭示了器件关键特性的新变化及其物理根源，提出了可大规模集成的新工艺方法，成功研制出低功耗围栅纳米线器件及模块电路

发现了纳米尺度器件中涨落性和可靠性耦合的新现象及其对电路性能的影响，提出了新的涨落性/可靠性分析表征方法及模型

 学术论著截至2019年7月，黄如已合作出版著作5本，发表学术论文250余篇，在微电子器件领域标志性国际会议IEDM、VLSI和标志性期刊EDL、TED上发表70余篇论文（自2007年以来连续12年在IEDM上发表论文32篇），多项研究成果连续被列入四个版本的国际半导体技术发展路线图ITRS

 学术交流截至2018年11月，黄如应邀做国际会议大会和特邀报告40余次， 并担任过国际会议ICSICT2012/ICSICT2014大会主席、ISLPED2013大会主席、ICSICT2004/ICSICT2008的程序委员会主席、CSTIC2009-2015Symposium I Chair 以及其他多个重要国际会议的程序委员会/顾问委员会委员/分会主席

 科研成果奖励截至2018年11月，黄如先后获得国家技术发明二等奖、国家科技进步二等奖、北京市科学技术一等奖、教育部自然科学一等奖、教育部科技进步一等奖等多项国家和部委级奖励

 获奖时间项目名称奖励名称2015年新型低功耗多栅MOS器件的实验与理论研究教育部自然科学一等奖（排名第一）2014年纳米尺度集成电路新器件与新工艺研究国家自然科学基金创新群体（排名第一）2013年超大规模集成电路65-40纳米成套产品工艺研发与产业化国家科学技术进步二等奖（排名第七）2012年超大规模集成电路65-40纳米成套产品工艺研发与产业化北京市科学技术一等奖（排名第七）2010年纳米尺度硅基集成电路新器件与新工艺技术及其应用国家科学技术发明二等奖（排名第一）2007年纳米尺度硅集成电路新器件与新工艺研究北京市科学技术一等奖（排名第一）2007年90纳米-65纳米极大规模集成电路大生产关键技术研究教育部科学技术进步一等奖（排名第七） 

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