郝跃科研成就科研综述郝跃在高质量材料生长、器件结构创新、工艺优化实现及其在极端环境下的可靠性、稳定性的研究中取得创新性和应用性成果；发现了氮化物半导体材料生长中气相预反应、表面吸附原子迁移及晶格应力的关键物理机理，提出了一种反应气体脉冲式分时输运原理与方法；发现了二维电子气在高压、高温下迁移率退化与晶格应变驰豫的物理机制，提出了无应变背势垒和多沟道新型氮化镓异质结构，以及新型高K堆栈的介质栅MOS-HEMT器件结构，成功实现了高效率氮化物微波功率器件

 承担项目截至2021年12月，郝跃先后主持了多项国家科技攻关、863高科技项目、973计划项目、国家自然科学基金等项目

 学术论著截至2013年5月，郝跃在中国国内外刊物和国际会议上发表论文200余篇，其中SCI 180余篇，被他引600余次，专著3本

 著作名称出版时间出版社作者电子线路CAD技术与应用软件1992年12月西安电子科技大学出版社贾新章，郝跃著集成电路全书 （技术·经济·管理）1993年9月电子工业出版社合编 （编委）电子电路CAD技术1994年11月西安电子科技大学出版社贾新章，郝跃编集成电路制造动力学理论与方法1995年11月北京教育出版社、河北教育出版社郝跃著超高速化合物半导体器件1998年7月宇航出版社合编 （编委）碳化硅宽带隙半导体技术2000年5月科学出版社郝跃，彭军，杨银堂编著电可改写非挥发存储器2002年3月国防工业出版社于宗光，郝跃著微纳米MOS器件可靠性与失效机理2008年3月科学出版社郝跃，刘红侠编著Computeational Intelligence and Security Part I, Part II2005年12月Springer-Verlag Printer in GermanyYue Hao资料来源： 科研成果奖励截至2021年12月，郝跃研究成果获国家八五重大科技成果奖1项，国家技术发明二等奖1项，国家科技进步二、三等奖各1项；电子工业部科技进步一等奖1项；省部级科技进步一等奖1项，二等奖3项，三等奖4项；光华科技二等奖1项；获国家发明专利7项

 获奖时间项目名称奖励名称1987年电子工业部科技进步一等奖1989年机电部科技进步二等奖1998年国家科技进步三等奖1999年信息产业部科技进步二等奖2001年国防科学技术二等奖2005年高亮度GaN蓝光LED技术陕西省科学技术一等奖（第一完成人）2006年国防科学技术二等奖2007年90纳米-65纳米极大规模集成电路大生产关键技术研究中国高等学校科学技术一等奖（第五完成人）2007年氮化镓基半导体材料核心设备与生长技术中国高等学校科学技术二等奖（第一完成人）2007年集成电路成品率估计与优化模型的研究陕西省科学技术二等奖（第一完成人）2008年90纳米-65纳米极大规模集成电路大生产关键技术研究国家科技进步二等奖（第五完成人）2008年国防科学技术二等奖2009年专用项目国家技术发明奖二等奖2009年国防科学技术奖一等奖资料来源：      

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