郑厚植科研成就科研综述郑厚植自1979年以来长期从事半导体低维量子结构物理及新器件探索，所在的半导体超晶格国家重点实验室具备先进而齐全的超薄半导体材料生长，光学/电学测试手段

包括：4台分子束外延系统（MBE）（1新、3旧）；各种稳态、时间分辨和非线性光谱系统（飞秒瞬态激光光谱，拉曼光谱，付里叶光谱，PL、PLE光谱，磁光和时间分辨法拉第旋转光谱）；低温强磁场系统和各种电学测试手段

研究所新建的“半导体集成技术中心”可以提供先进而配套的纳米加工手段 

郑厚植在半导体低维量子结构中的新效应研究方面取得多项重要成果：首次揭示了量子霍耳效应的尺寸效应和霍耳电势的空间分布特性；首次提出了用分裂栅电极实现准一维电子气的办法，揭示了准一维电子气的新奇量子特性，该方法已扩展成为制备和调控量子比特的重要方案之一；提出了空穴间多体相互作用诱导的磁阻理论并予以了实验验证；研究采用量子效应的新型量子器件等方面做出了许多有价值的成果 

学术论著Zheng, H. Z., Choi, K. K., Tsui, D. C., & Weimann, G. (1985). Observation of size effect in the quantum Hall regime. Physical review letters, 55(10), 1144.Zheng, H. Z., Wei, H. P., Tsui, D. C., & Weimann, G. (1986). Gate-controlled transport in narrow GaAs/Al x Ga 1− x As heterostructures. Physical Review B, 34(8), 5635.Zheng, H. Z., & Zhou, H. P. (1989). Influences of particle-hole Hartree interaction on magnetoresistances in disordered two-dimensional hole systems. Physical Review B, 39(6), 3817.Zheng, H. Z., Yang, F. H., & Chen, Z. G. (1990). Nonresonant magnetotunneling in asymmetric GaAs/AlAs double-barrier structures. Physical Review B, 42(8), 5270.Zheng, H. Z., Song, A., Yang, F. H., & Li, Y. X. (1994). Density of states of the two-dimensional electron gas studied by magnetocapacitances of biased double-barrier structures. Physical Review B, 49(3), 1802.Zheng, H. Z., Li, H. F., Zhang, Y. M., Li, Y. X., Yang, X., Zhang, P., ... & Tian, J. F. (1995). Experimental study of tunneling escape through double-barrier resonant-tunneling structures. Physical Review B, 51(16), 11128.  承担项目据2020年3月何梁何利基金会官网显示，郑厚植自1986年起历任“七五”国家重大基金项目，“八五”和“九五”国家攀登计划项目，“十五”国家重点科技研究计划（973），“十一五” 国家重大科学研究计划等项目的负责人和首席专家 

项目时间项目名称奖励名称1991年—1995年半导体超晶格物理及材料、器件探索国家攀登计划重大项目，首席专家1996年—2000年半导体超晶格、低维量子结构物理、材料和器件探索国家攀登计划重大项目，首席专家1998年—2001年半导体/非半导体低维结构物理及其应用国家自然科学基金重点项目，首席专家2001年—2006年量子结构、量子器件的基础研究中国科学院重要方向项目，首席专家2002年—2006年IT前沿中的固态量子结构、量子器件及其集成技术国家重点基础研究发展计划（973），首席专家科研成果奖励郑厚植获得1994年、1995年中国科学院自然科学奖一等奖（排名第一）、二等奖（排名第二） 

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