许居衍科研成就科研综述许居衍于1960年代初，主持摸索集成电路制造技术，研制成功中国第一代硅平面单片集成电路并转移工厂生产

相继提出并研制成功高速发射极分流限制饱和逻辑电路、集成注入肖特基逻辑电路等创新结构，用于中国早期计算机

1970年代筹建大规模集成电路新工艺，主持研制成功图形发生器、图形数字转换机、控制计算机等组成的自动化制版系统和用于图形的集成电路计算机辅助设计（CAD）系统，以及离子注入等新工艺，为成功研制动态随机存储器等多种大规模集成电路开辟了技术基础 

1987年，许居衍从“造”与“用”的对立统一观出发，提出了硅主流产品总是围绕“通用”与“专用”特征循环、每10年波动一次的“硅产品特征循环”规律

许居衍于1980—90年代，探索科研与生产结合，促成建立无锡微电子科研生产联合企业

主持完成微米级集成电路大生产技术、标准代工示范工程、微控制器、锗硅HBT等重大项目

参与世行资助中国微电子工业发展研究，归纳发现半导体技术周期性创新规律（“许氏循环”）

主持完成微电子技术前景预测项目研究，成功预测2014—2017年进入硅技术生命曲线上的拐点（“微电子技术发展前景预测”） 

学术论著许居衍从1958年起，在《电讯技术》《军事无线电电子学简报》《半导体学报》《电子学报》和自己所在研究所自办的刊物以及其他中国国内外有关报刊上发表的关于半导体器件物理、集成电路及其设计、微电子技术经济学等方面的论文和文章达60余篇

1980年，许居衍在《电子学报》上发表的《非均匀掺杂层的载流子平均迁移率及其应用》一文，计算方法严谨，对器件的工程设计有实际意义，其结果受到相关方面的重视

1982年，许居衍在《Solid-State Electronics》上发表的“Average Mobilities of Carries in Subdoped Silicon Layers”，总结了他和所里另一位同志1965年所从事的研究成果，提出了IC埋层杂质扩散和非均匀掺杂层迁移率等理论，为IC工程设计提供了理论依据

1991年，许居衍以“硅微电子产品史上的六次波动”为节题，完稿入编《未来军事电子》一书中 

学术交流1986年，许居衍参加厦门微电子发展战略研讨会，发表的论文《关于发展中国微电子工业的几个问题》得到时任上海市市长江泽民的署名来信，给出了“文章对国际微电子技术发展状况的论述和评价有独特见解，对微电子技术的发展趋势剖析比较清晰” 

1988年，许居衍在第一届微电子研究生学术研讨会上提出：微电子技术在经历了分立功能器件、功能机械集成以后，将向功能物理集成（生物芯片）发展；终端装置由分立零件堆积仿形、零件集成仿形后，将向功能自然仿真（生物装置）发展；人类在掌握了金属铁器、非金属硅器等时代工具后，将向掌握有机物器具方向长驱直入的观点，全被《21世纪世界预测》（上海文化出版社，1997，第三版）引用于该书序言《纪元晋千大预测》中 

承担项目时间项目名称项目来源1991年集成电路技术产业化研究中华人民共和国机械电子工业部项目微电子技术发展前景预测（主持）中国微电子工业发展战略研究（参与）世界银行贷款科技项目1～1.5μm大生产技术优化研究国家“八五”重大科技攻关项目微控制器系列产品开发与应用国家重大科技攻关项目 

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