出生日期:1933.9.18;职务:研究员;籍贯:湖北武汉黄陂;中文名:梁骏吾;
梁骏吾 (1933.9.18-- ) 半导体材料专家。湖北省武汉市人。1955年毕业于武汉大学,1960年获原苏联科学院冶金研究所副博士学位。中国科学院半导体研究所研究员。持“七五”、“八五”重点硅外延攻关,完成了微机控制、光加热、低压硅外延材料生长和设备的研究。获国家科委科技成果二等奖一次、中国科学院科技进步奖一等奖1次、中国科学院重大成果一等奖两次,以及其它国家部级奖励多次。 1997年当选为中国工程院院士。
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