硅晶片刻蚀和清洗研磨后，进入刻蚀和清洗工艺，使用氢氧化钠、乙酸和硝酸的混合物以减轻磨片过程中产生的损伤和裂纹

关键的倒角工艺是要将晶圆片的边缘磨圆，彻底消除将来电路制作过程中破损的可能性

倒角后，要按照最终用户的要求，经常需要对边缘进行抛光，提高整体清洁度以进一步减少破损

抛光(化学机械抛光，Chemical Mechanical Polishing)　生产过程中最重要的工艺是抛光晶圆片，此工艺在超净间中进行

超净间从一到一万分级，这些级数对应于每立方米空间中的颗粒数

这些颗粒在没有控制的大气环境下肉眼是不可见的

例如起居室或办公室中颗粒的数目大致在每立方米五百万个

为了保持洁净水平，生产工人必须穿能盖住全身且不吸引和携带颗粒的洁净服

在进入超净间前，工人必须进入吸尘室内以吹走可能积聚的任何颗粒

硅晶片大多数生产型晶圆片都要经过两三次的抛光,抛光料是细浆或者抛光化合物

多数情况下，晶圆片仅仅是正面抛光，而300毫米的晶圆片需要双面抛光

除双面抛光以外，抛光将使晶圆片的一面象镜面一样

抛光面用来生产电路，这面必须没有任何突起、微纹、划痕和残留损伤

抛光过程分为两个步骤，切削和最终抛光

这两步都要用到抛光垫和抛光浆

切削过程是去除硅上薄薄的一层，以生产出表面没有损伤的晶圆片

最终抛光并不去除任何物质，只是从抛光表面去除切削过程中产生的微坑

抛光后，晶圆片要通过一系列清洗槽的清洗，这一过程是为去除表面颗粒、金属划痕和残留物

之后，要经常进行背面擦洗以去除最小的颗粒

这些晶圆片经过清洗后，将他们按照最终用户的要求分类，并在高强度灯光或激光扫描系统下检查，以便发现不必要的颗粒或其他缺陷

一旦通过一系列的严格检测，最终的晶圆片即被包装在片盒中并用胶带密封

然后把它们放在真空封装的塑料箱子里，外部再用防护紧密的箱子封装，以确保离开超净间时没有任何颗粒和湿气进入片盒

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