μm亚微米技术当今微电子技术发展的显著特点是电子器件的几何尺寸日趋微细化，而进入亚微米和毫微米范围，电路的集成度迅速增长跨入超超大规模阶段，MOS存储器的发展往往作为半导体技术发展的一种度量尺度，而动态随机存取存储器(DRAM)在功能密度，电路的革新和制造工艺的成热程度上又都处于领先地位，它的迅速发展受到广阔的市场需求，电路技术的稳固发展和微细加工技术不断改进等诸因素的推动

每个芯片集成位数差不多每三年增长4倍，器件的设计规则相应以0.7倍的速率缩小，芯片面积至少以1.5或2倍的速度增长，芯片所含最小图形数差不多以4倍速度增长

根据最近的报导，日本松下电器公司已研制成最小线宽为0.5微米和芯片面积约100平方毫米的16 MB DRAM，每个芯片集成的元件数为3500万个

随着微电子器件几何尺寸不断缩小，电路封装密度的增加，微细或超微细加工技术的发展在微电子技术研究和生产的发展中占有越来越重要的地位

器件尺寸的微细化，根据等比例缩小的原则不仅是横向尺寸缩小,其纵向尺寸也要相应缩小，封装密度增加，电路将向三维结构发展，因此，微电子技术发展对超微细加工技术的需求不仅仅是光刻技术，也涉及到一系列其他技术诸姐薄膜或超薄膜的生长和性能控制，离子注入浅结形成和快速热处理技术，微细图形刻蚀和剖面控制等

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