晶体二极管产品展示1.肖特基二极管肖特基二极管是以其发明人肖特基博士（Schottky）命名的，SBD是肖特基势垒二极管（SchottkyBarrierDiode，缩写成SBD）的简称

SBD不是利用P型半导体与N型半导体接触形成PN结原理制作的，而是利用金属与半导体接触形成的金属－半导体结原理制作的

因此，SBD也称为金属－半导体（接触）二极管或表面势垒二极管，它是一种热载流子二极管

正向导通压降仅0.4V左右，而整流电流却可达到几千安培

这些优良特性是快恢复二极管所无法比拟的

中、小功率肖特基整流二极管大多采用封装形式

2.发光二极管发光二极管简称为LED

由镓（Ga）与砷（AS）、磷（P）的化合物制成的二极管，当电子与空穴复合时能辐射出可见光，因而可以用来制成发光二极管，在电路及仪器中作为指示灯，或者组成文字或数字显示

磷砷化镓二极管发红光，磷化镓二极管发绿光，碳化硅二极管发黄光

它是半导体二极管的一种，可以把电能转化成光能；常简写为LED

发光二极管与普通二极管一样是由一个PN结组成，也具有单向导电性

当给发光二极管加上正向电压后，从P区注入到N区的空穴和由N区注入到P区的电子，在PN结附近数微米内分别与N区的电子和P区的空穴复合，产生自发辐射的荧光

不同的半导体材料中电子和空穴所处的能量状态不同

当电子和空穴复合时释放出的能量多少不同，释放出的能量越多，则发出的光的波长越短

常用的是发红光、绿光或黄光的二极管

3.稳压二极管稳压二极管是一个特殊的面接触型的半导体硅二极管，其V-A特性曲线与普通二极管相似，但反向击穿曲线比较陡~稳压二极管工作于反向击穿区，由于它在电路中与适当电阴配合后能起到稳定电压的作用，故称为稳压管

稳压管反向电压在一定范围内变化时，反向电流很小，当反向电压增高到击穿电压时，反向电流突然猛增，稳压管从而反向击穿，此后，电流虽然在很大范围内变化，但稳压管两端的电压的变化却相当小，利于这一特性，稳压管访问就在电路到起到稳压的作用了

而且，稳压管与其它普能二极管不同之反向击穿是可逆性的，当去掉反向电压稳压管又恢复正常，但如果反向电流超过允许范围，二极管将会发热击穿，所以，与其配合的电阻往往起到限流的作用

4.光电二极管光电二极管和普通二极管一样，也是由一个PN结组成的半导体器件，也具有单方向导电特性

但是，在电路中不是用它作整流元件，而是通过它把光信号转换成电信号

那么，它是怎样把光信号转换成电信号的呢？大家知道，普通二极管在反向电压作用在处于截止状态，只能流过微弱的反向电流，光电二极管在设计和制作时尽量使PN结的面积相对较大，以便接收入射光

光电二极管是在反向电压作用在工作的，没有光照时，反向电流极其微弱，叫暗电流；有光照时，反向电流迅速增大到几十微安，称为光电流

光的强度越大，反向电流也越大

光的变化引起光电二极管电流变化，这就可以把光信号转换成电信号，成为光电传感器件

5.整流二极管一种将交流电能转变为直流电能的半导体器件

通常它包含一个PN结，有阳极和阴极两个端子

其结构如图1所示

P区的载流子是空穴,N区的载流子是电子，在P区和N区间形成一定的位垒

外加使P区相对N区为正的电压时，位垒降低，位垒两侧附近产生储存载流子，能通过大电流，具有低的电压降（典型值为0.7V），称为正向导通状态

若加相反的电压，使位垒增加，可承受高的反向电压，流过很小的反向电流（称反向漏电流），称为反向阻断状态

整流二极管具有明显的单向导电性，其伏安特性和电路符号如图2所示

整流二极管可用半导体锗或硅等材料制造

硅整流二极管的击穿电压高，反向漏电流小，高温性能良好

通常高压大功率整流二极管都用高纯单晶硅制造（掺杂较多时容易反向击穿）

这种器件的结面积较大，能通过较大电流（可达上千安），但工作频率不高，一般在几十千赫以下

整流二极管主要用于各种低频半波整流电路，如需达到全波整流需连成整流桥使用

选用整流二极管时，主要应考虑其最大整流电流、最大反向工作电流、截止频率及反向恢复时间等参数

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