报告题目：薄膜铌酸锂片上有源器件的研究

报告人： 陈险峰教授   上海交通大学

报告时间：2022年11月4日 晚20:00点

报告地点：腾讯会议：360-188-727

报告邀请人：苏州大学物理科学与技术学院  王飞教授

报告摘要： 该报告介绍我们研究组近年来在薄膜铌酸锂片上有源器件的研究进展。我们制备了1-mol％的掺铒铌酸锂晶体及其在硅衬底上的LNOI薄膜，制造了具有高品质因子(~)的掺铒LNOI微盘腔。基于制备的高Q掺铒LNOI微盘腔在974 nm和1460 nm激光泵浦下，获得了有效的C波段激光输出。降低了铒掺杂LNOI上的激光泵浦阈值，实现单纵模/窄线宽的片上集成激光（选模 ）。解决放大器芯片的各类损耗问题，改善掺杂浓度提高量子放大效率，以及满足增大饱和输出功率，降低噪声系数的要求等。片上掺铒铌酸锂微腔激光器和放大器的实现将在基于铌酸锂平台的光子集成回路中发挥重要作用。

报告人简介： 陈险峰，上海交通大学特聘教授，国家杰出青年基金获得者，科技部中青年科技创新领军人才，上海市优秀学术带头人和上海市曙光学者，享受政府特殊津贴。现任上海交通大学光科学与工程研究中心主任。在Nature Photonics, Physical Review Letters等本领域国际重要SCI刊物上发表论文180余篇。

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