报告题目：低维碳材料的结构、性质和生长机制的理论研究 

报告人：袁清红教授 华东师范大学教授

报告时间：2022年11月30日（星期三）9:00 - 11:00

报告地点：腾讯会议（会议号：995 860 453）

报告摘要：由于具有远高于半导体核心材料硅的载流子迁移率，极高的导热率和力学强度，低维碳材料被认为在未来的纳电子器件与集成电路、柔性电子器件、超灵敏传感器等新型电子器件的构建中具有广阔的应用前景，有望成为主导未来高科技产业竞争的核心材料。低维碳材料发展面临的最为直接而迫切的挑战是如何实现这类材料高质量、大批量、低成本的化学合成。化学气相沉积（CVD）法被认为是有望实现高质量、低成本的低维碳材料大规模可控制备的最具潜力的方法。从原子尺度理解低维碳材料的生长机制将大大促进实验上对于材料的可控制备。此外，低维碳材料在纳米电子科学领域发展面临的另一挑战是实现其电子性质的有效调控。本报告将主要介绍本课题组在低维碳材料的生长机制及性质调控方面的理论研究进展以及与实验的合作。内容包括1）碳纳米管的CVD生长机制；2）石墨烯的CVD生长机制及大面积单晶石墨烯的可控制备；3）二维碳氮材料的结构和性质调控。

报告人简介：华东师范大学教授、紫江青年学者，上海市浦江人才计划入选者。2010年获香港中文大学理学博士学位，之后在香港理工大学从事博士后研究工作，2012年入职华东师范大学物理与电子科学学院并于2017年晋升为教授。长期从事低维碳材料结构、性质以及生长机制的理论研究，揭示了若干类型低维碳纳米材料的关键生长机制，提出的理论被国内外多个课题组的后续实验结果证实。近年来主持多项国家自然科学基金。发表学术论文80 余篇，其中以第一或通讯作者发表的论文包括Nat. Mater.，Nat. Electron., Phys. Rev. Lett., Sci. Adv., J. Am. Chem. Soc.，Angew. Chem. Int. Ed., Nano Letters, Adv. Funct. Mater.等。

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