郑耀宗科研成就科研综述郑耀宗发明了掺氯化氢硅氧化技术，解决了当时金属—氧化硅—硅（MOS）器件和集成电路阈值电压漂移、不能稳定工作的难题，使MOS器件和电路的性能、可靠性和成品率提高
在国际上首先提出了MOS反型层载流子表面粗糙度散射理论，在MOS集成电路进入深亚微米阶段后，这一机理已成为决定MOS反型层载流子迁移率的主要因素，这是对MOS器件物理的一大发展
他是较早开展氮化硅技术的研究者之一
在深亚微米器件模型研究工作中取得重要成果
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