吴汉明科研成就科研综述吴汉明研发高密度等离子体刻蚀，研究理论和实验结果表明其等离子体密度达到深亚微米刻蚀的要求，研究结果申报了国家发明专利，发表在国际专业期刊杂志上并得到广泛引用

研发了世界上第一套可以进行等离子体工艺模拟的商业软件并得到广泛使用

2001年进入中芯国际集成电路制造（北京）有限公司后，组建了先进刻蚀技术工艺部，领导了0.13微米刻蚀工艺，在中国实现了用于大生产的双镶嵌法制备工艺，为中国首次实现铜互连提供了工艺基础 

论著专利截至2014年10月，吴汉明在中国国内外主流刊物和会议上发表论文100多篇；申报发明专利84项，其中24项是国际专利 

承担项目项目名称项目来源，担任职务65-45-32纳米CMOS产品成套工艺和产业化国家十一五02重大专项，项目总负责人 32/28纳米CMOS成套产品工艺和产业化国家十二五重大专项，项目首席科学家纳米磁性自旋存储器和半导体硅量子点存储器的研制及其器件物理研究国家973项目，首席科学家 高密布电感等离子体刻蚀机研发国家863项目，参与科研成果奖励获奖时间项目名称奖励名称2008年90纳米-65纳米极大规模集成电路大生产关键技术研究国家科技进步二等奖（第二完成人） 2013年超大规模集成电路65-40纳米成套产品工艺研发与产业化国家科技进步二等奖（第一完成人） 

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