硅晶片熔融然后将这些物质加热到硅的熔点——摄氏1420度之上
一旦多晶硅和掺杂剂混合物熔解，便将单晶硅种子放在熔解物的上面，只接触表面
种子与要求的成品硅锭有相同的晶向
为了使掺杂均匀，子晶和用来熔化硅的坩埚要以相反的方向旋转
一旦达到晶体生长的条件，子晶就从熔化物中慢慢被提起
生长过程开始于快速提拉子晶，以便使生长过程初期中子晶内的晶缺陷降到最少
然后降低拖拉速度，使晶体的直径增大
当达到所要求的直径时，生长条件就稳定下来以保持该直径
因为种子是慢慢浮出熔化物的，种子和熔化物间的表面张力在子晶表面上形成一层薄的硅膜，然后冷却
冷却时，已熔化硅中的原子会按照子晶的晶体结构自我定向
硅锭完全长大时，它的初始直径要比最终晶圆片要求的直径大一点
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