字线字线负偏压的原理一个MOSFET存在多种漏电流：亚阈值漏电流，栅漏电流，PN 结漏电流，栅致漏极泄漏 GIDL电流，耗尽层结穿通电流
MOS管在不同状态时的主要构成电流是不同的，当管子处于关态或等待状态时，GIDL电流占主导地位
所谓GIDL电流即是栅致漏极泄漏电流，是由于工艺限制产生的电流，MOSEFET栅极和漏极之间会不可避免的存在相互交叠的区域，GIDL电流就发生在栅漏交叠区这一重要区域
当漏极栅极之间电压很大时，交叠区界面附近硅中电子在价带和导带之间发生带带隧穿，从而形成GIDL电流
随着器件尺寸缩小，器件源极漏极以及衬底的浓度越来越大，栅氧化层越来越薄，导致GIDL电流急剧增加，使得GIDL电流成为器件静态功耗中不可忽略的一部分
对于NMOSFET来说，可以通过在栅极加负压的方式增加阈值电压，而对于PMOSFET可以采用在栅极加高于VDD的电压来降低漏电流，但是这一方法同时也会导致GIDL电流增加
说明了字线负偏压技术的可行性，为提出的字线负偏压技术提供了理论支持
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