半导体集成存储器随机存储器对于任意一个地址，以相同速度高速地、随机地读出和写入数据的存储器（写入速度和读出速度可以不同）

存储单元的内部结构一般是组成二维方矩阵形式，即一位一个地址的形式(如64k×1位)

但有时也有编排成便于多位输出的形式（如8k×8位）

随机存储器主要用于组成计算机主存储器等要求快速存储的系统

按工作方式不同，随机存储器又可分为静态和动态两类

静态随机存储器的单元电路是触发器

可规定A或B两个晶体管中的一个导通时，代表“1”或代表“0”

触发器只要电源足够高，导通状态便不会改变

因此，存入每一单元的信息，如不“强迫”改写，只要有足够高的电源电压存在便不会改变，不需要任何刷新（见金属-氧化物-半导体静态随机存储器）

这种存储器的速度快，使用方便

动态随机存储器的单元由一个MOS电容和一个 MOS晶体管构成，数据以电荷形式存放在电容之中，一般以无电荷代表“0”，有电荷代表“1”，反之亦可

单元中的MOS晶体管是一个开关，它控制存储电容器中电荷的存入和取出

通常，MOS电容及与其相联接的PN结有微弱的漏电，电荷随时间而变少，直至漏完，存入的数据便会丢失

因此动态随机存储器需要每隔2～4毫秒对单元电路存储的信息重写一次，这称为刷新

这种存储器的特点是单元器件数量少，集成度高，应用最为广泛（见金属-氧化物-半导体动态随机存储器）

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