半导体集成存储器串行存储器

半导体集成存储器串行存储器它的单元排列成一维结构,犹如磁带

首尾部分的读取时间相隔很长,因为要按顺序通过整条磁带

半导体串行存储器中单元也是一维排列,数据按每列顺序读取,如移位寄存器和电荷耦合存储器等

按制造工艺技术的不同,半导体存储器可分成MOS型存储器和双极型存储器两类

70年代以来,NMOS电路(见N沟道金属-氧化物-半导体集成电路)和 CMOS电路 (见互补金属-氧化物-半导体集成电路)发展最快,用这两者都可做成极高集成度的各种半导体集成存储器

砷化镓半导体存储器如1024位静态随机存储器的读取时间已达2毫秒,预计在超高速领域将有所发展

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