内存DDR3时代DDR3相比起DDR2有更低的工作电压，从DDR2的1.8V降落到1.5V，性能更好更为省电；DDR2的4bit预读升级为8bit预读
DDR3目前最高能够达到2000Mhz的速度，尽管目前最为快速的DDR2内存速度已经提升到800Mhz / 1066Mhz的速度，但是DDR3内存模组仍会从1066Mhz起跳
DDR3在DDR2基础上采用的新型设计： 1．8bit预取设计，而DDR2为4bit预取，这样DRAM内核的频率只有接口频率的1/8，DDR3-800的核心工作频率只有100MHz
2．采用点对点的拓朴架构，以减轻地址/命令与控制总线的负担
3．采用100nm以下的生产工艺，将工作电压从1.8V降至1.5V，增加异步重置（Reset）与ZQ校准功能
部分厂商已经推出1.35V的低压版DDR3内存
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