报告题目: 氧化铪基薄膜的铁电性研究-盖层效应

报告人：陆旭兵 华南师范大学

报告时间：2020年9月24日星期四 19:00-21:00

报告地点：腾讯会议  451 551 512  https://meeting.tencent.com/s/eFbtBfArLlVo

报告邀请人：游陆

报告摘要：氧化铪(HfO2)基铁电薄膜(Fe-HfO2)具有良好的CMOS工艺的兼容性，自2011年发现以来，已迅速成为电子信息材料研究领域的前沿热点。Fe-HfO2薄膜通常通过引入一金属盖层来获得良好的铁电性。有别于这种常规的思路，近几年来，我们研究了介电盖层对Fe-HfO2薄膜铁电性的调控效应，对其铁电性的起源、影响机理和疲劳保持特性等进行了探索，取得了一些进展。

     我们通过介电盖层(如Al2O3和ZrO2)和具有绝缘-金属转变特性的VOx盖层的引入，Fe-HfO2不仅可以获得与金属盖层媲美的优异铁电性，而且可以简化器件制备工艺，降低刻蚀工艺过程对Fe-HfO2性能恶化的风险；揭示了盖层的作用不在于诱导铁电正交相，而是抑制单斜相、稳定正交相并提升其大面积均匀性。通过具有绝缘-金属转变特性的VOx盖层，我们制备了2Pr值高达~36.9 μC/cm2 ，极化翻转疲劳超过109次，预期保持达10年等优异电学特性的Fe-HfO2铁电薄膜。我们的工作，将有助于推动Fe-HfO2薄膜在新型铁电信息存储和负电容效应晶体管中的应用。

报告人简介：陆旭兵，华南师范大学教授、博士生导师。2002年博士毕业于南京大学物理系。2002-2010年分别在北京大学、香港理工大学、东京工业大学、马普微结构物理所等地从事研究工作，2010年9月开始任职于华南师范大学。主要的研究方向为高介电常数薄膜、铁电薄膜材料及其在新型信息存储器件中的应用研究。在Adv. Mater.、Appl. Phys. Lett.、IEEE Electron Device Lett.等期刊上发表SCI论文100余篇。承担国家自然科学基金委、广东省科技厅等多个项目。2016年入选广东省珠江学者特聘教授、2009年获德国洪堡奖学金(资深学者项目)、2006年获日本JSPS奖学金。

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