中国科学院半导体研究所科研成果2001年，黄昆获国家最高科学技术奖
2008-2013年，共申请专利千余项，授权677项，每年SCI论文300篇以上
2006-2009年，研究所分别以技术入股、专利许可、技术授权等方式转让专利和专有技术58项，技术开发合同123项，技术开发合同及转让收入2.62亿元
截至2013年，研究所半导体材料制备与器件研制领域共获得127项专利，全固态激光器系统领域共获得13项专利，半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件研制领域共获得306项专利，智能计算系统与模式识别领域共获得14项专利，半导体加工与测试工艺领域共获得28项专利，激光成像系统领域共获得12项专利，高亮度发光二极管（LED）工艺与设备领域共获得26项专利，集成电路设计与测试领域共获得36项专利，太阳能电池技术领域共获得25项专利
1985-2015年，研究所获北京市科技进步奖1项、北京市科学技术奖6项、北京市科学技术进步奖1项、北京市星火科技奖1项、高等学校科学研究优秀成果奖（科学技术）科技进步奖1项、国家技术发明奖3项、国家科技进步奖2项、国家科学技术进步奖19项、国家自然科学奖4项、河北省技术发明奖1项、化学工业部科技进步奖1项、机电部科技进步奖2项、省部技术发明奖1项、省部科学技术进步奖1项、省部自然科学奖1项、天津市科技合作奖1项、天津市科技进步奖2项、铁道部科技进步奖2项、中国电子学会科学技术奖2项、中华农业科技奖1项、中科院科技进步奖75项、中科院自然科学奖23个
2010-2015年，以技术入股、专利许可、技术授权等方式转让专利和专有技术44项，技术合同253项，横向收入4.8亿元
2019年，在国家973计划、国家自然科学基金委重大项目等支持下，中国科学院半导体研究所牛智川研究员团队深入研究锑化物半导体材料的基础物理、异质结低维材料外延生长和光电器件的制备技术等，突破了锑化物量子阱激光器的刻蚀与钝化等核心工艺技术
在此基础上，研究团队创新设计金属光栅侧向耦合分布反馈（LC-DFB）结构，成功实现了2μm波段高性能单模激光器，边模抑制比达到53dB，是同类器件的最高值；而且输出功率达到40mW，是同类器件的3倍以上
在锑化物量子阱大功率激光器方面， FP腔量子阱大功率激光器单管和巴条组件分别实现1.62瓦和16瓦的室温连续输出功率，综合性能达到国际一流水平并突破国外高端激光器进口限制性能的规定条款
该成果引起国际学术界和产业界广泛关注，《化合物半导体》杂志评价“该单模激光器开创性提升边模抑制比，为天基卫星载LIDAR系统和气体检测系统提供了有竞争力的光源器件”
该研究成果攻克了短波红外激光器领域关键技术，在危险气体检测、环境监测、医疗与激光加工等诸多高新技术产业具有非常广阔的应用价值
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