报告题目：长直磁纳米条中磁畴壁动力学性质及其调控

报告人：胡经国 扬州大学 物理科学与技术学院

报告时间：2020年10月29日 上午09:30-11:30

报告地点：腾讯会议（在线）570 175 215  

报告邀请人：陈康

报告摘要：新型赛道存储器件的信息存储与读取是多磁畴壁的动力学过程，为此，我们研究了长直磁纳米条中磁畴壁的动力学行为及其调控。结果表明：多横向磁畴壁之间有长程吸引与短程排斥，其平衡时可形成多360°畴壁结构的亚稳态，其360°畴壁结构中心有大的面外磁极化。对多360°畴壁结构，在电流驱动下，多360°畴壁结构在长直磁纳米条中的移动行为类似于单个横向壁的行为，其移动速度随着磁纳米条中面内磁晶各向异性的增加而提高。进一步地，其面内磁各向异性不仅能提高多360°磁畴壁的临界湮灭电流，而且还能增强保持多畴壁的微结构。但当驱动电流大于临界电流时，多360°磁畴壁发生湮灭。其在湮灭前有两种运动方式，在电流比较小时，畴壁移动的平均速度与电流间存在极好的线性关系，且其关系不依赖于磁晶各向异性的大小；在电流比较大时，畴壁移动出现类似的沃克崩溃的现象。另一方面，磁畴壁在自旋波的作用下亦能在长直磁纳米条中平稳移动，但其移动是蠕动行为的平均结果。就其物理根源在于其磁畴壁的蠕动是磁场波中角动量转移的结果，且其正弦自旋波或余弦自旋波是自旋波作用磁畴壁的基本单元。

报告人简介：胡经国，扬州大学教授博士生导师。本科和硕士毕业于苏州大学，2002年于南京大学获理论物理博士学位，2005-2006年在西澳大学做访问学者。主要研究方向微纳米结构中的光、电、磁特征及其应用。已在PRB、APL、Nanoscale等SCI杂志上发表论文100余篇，主持国家自然科学基金面上项目4项，科技部973项目、科技支撑项目子课题3项。2016年获江苏省教育厅科技成果一等奖，多次获评江苏省优秀硕士论文指导老师奖。目前兼职中国磁学理论会议组委会组委、江苏省电磁材料与器件委员会副主任委员。

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