报告题目：基于测量和制程良率控制的一体化光刻技术

报告人：宋毅 副教授 ，武汉大学工业科学研究院

报告时间：2020年12月11日（星期五）下午15：00

报告地点：物科楼409

报告邀请人：施夏清

报告摘要：在现代的集成电路芯片制造中，光刻机是最核心的关键装备之一，光刻机的性能决定了芯片上器件的最小加工线宽。按照摩尔定律，芯片的集成度每18个月增长一倍，光刻机的加工精度30年来从微米级逐渐缩小到纳米级。在这个过程中，不仅是光刻机的技术在更新换代，逐步从汞灯到准分子激光，再到目前最先进的EUV光刻机，光刻工艺也在不断地改进，各种测量检测方法、制程控制反馈技术被引入到光刻工艺中来。本报告介绍将计算光刻方法、光学纳米尺寸测量技术、制程控制方法和光刻相结合，形成一体化的光刻技术，以提高良率为目标，进行报告。

报告人简介：宋毅博士，武汉大学工业科学研究院副教授，武汉大学微电子学院装备部部长。2011年-2019年期间先后工作于比利时的imec微电子研究中心和荷兰的ASML光刻机公司；2019年加入武汉大学，从事光刻相关的研究，主要包括计算光刻、纳米尺寸光学测量、制程良率控制、3D激光直写。

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