报告题目：NbN SNS约瑟夫森结制备及特性研究

报告人：张露副研究员，中科院上海微系统与信息技术研究所

报告时间：2021年4月17日上午9：30-11：30

报告地点：物理科技楼101

报告人简介：张露，女，中科院上海微系统与信息技术研究所副研究员。分别在苏州大学和中科院上海微系统所取得硕士和博士学位。长期从事超导电子学领域研究工作，在探索超导薄膜、超导纳米线单光子探测器等方面取得了一定的成绩。目前的主要研究方向为新型超导SNS约瑟夫森结技术及其应用等，在PRL、APL等期刊发表了SCI论文20余篇，申请发明专利5件，主持/参与国家973计划、国家自然科学基金，中科院先导A、先导B、国家重点研发计划等项目。

报告摘要：超导约瑟夫森隧道结在超导电子学领域有着广泛的应用，如超导量子干涉器（SQUID）、单磁通量子电路（SFQ）、电压基准等。目前，超导器件和电路应用主流是基于超导Nb材料和Nb/Al-AlOx/Nb结外加并联电阻构成，然而，由于材料和器件结构的限制，它将面临集成度、制冷功耗及工作频率等发展瓶颈。作为下一代超导集成电路材料和器件，NbN系材料和SNS结近年来备受关注。本报告介绍了NbN/NbNx（TaNx）/NbN多层膜制备、刻蚀工艺、光刻技术等单元工艺优化；研制出的NbN SNS结10 K工作温度下特征电压值0.88 mV，工作温度和特征电压值均是Nb的2倍；6000个串联结阵的不均匀性小于1%，2 inch范围内结的临界电流密度分布不均匀性仅为7%，为大规模超导集成电路研究奠定基础。

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